奥迪微 OVP 保护元件应用方案
OVP 保护元件应用方案
一. OVP发展和市场分析
二. OVP 保护应图
三.OVP应用 MOS, Zener，TVS/ESD
一、OVP发展和市场分析
消费类电子↑ → 快充↑ →充电次数↑ →充电环境复杂↑ → Power FAIL ↑→客诉↑→EOS Solution and OVP √
随着消费类电子产品越来越多,突出了快充以及电池容量的普及,从而增加了充电次数,而现实应用中很少有人随时携带原装充电器,所以充电环境非常复杂，有车充，有太阳能充电器，有墙充，脆弱的手机必须承受各类充电器的。而更多手机因为充电回路的过压过流造成PMU,或者充电IC的损伤,进而推OVP应用越来越关键。
OVP芯片越来越成熟即搭载了过压自我保护和自动恢复功能。但跟据成本和芯片短缺与市场需求有更单分立型OVP保护线路，使产品得到更好保护作用！在发展应用电子产发挥很好优势和实实惠
JJW EOS&OVP&Charge Solution
因为充电或者其他引线在电路里面会有引入电感电容,从而有很高的尖峰,所以最好选用TVS管来抑制尖峰。
手机特别是安卓系统都是标准的USB接口,包括后续的TYPE-C接口，所以在终端消费者手里会有各个厂家包括非正规充电器混用接入手机。
二、OVP 保护应图
JJW 分立器件OVP 方案PMOS方案
三、OVP应用 MOS, Zener，TVS/ESD
OVP主要参数与器件选型
OVP主要参数
1 保护电压，主要决定于稳压管的启动电压VZ。
2 RDSON ，主要决定于MOS管的rdson 。
3 响应时间，主要决定于PNP开启时间，与MOS管关断时间。
4 DC耐压，主要决定于MOS管VDS耐压。
分立器件OVP 器件选型。
三、OVP应用 MOS, Zener，TVS/ESD
OVP主要参数与器件选型
OVP主要参数
1 保护电压，主要决定于稳压管的启动电压VZ。
2 RDSON ，主要决定于MOS管的rdson 。
3 响应时间，主要决定于PNP开启时间，与MOS管关断时间。
4 DC耐压，主要决定于MOS管VDS耐压。
分立器件OVP 器件选型。
1. MOS
|
类别 |
封装 |
料号 |
参数 |
|
MOS |
PDFN3.3X3.3-8L |
JMTQ200P03A |
Vds=-30V,Id=-12A |
|
MOS |
PDFN2X2-6L |
JMTV210P02A |
Vds=-20V,Id=-12A |
|
MOS |
SOT23 |
JMTL2301C |
Vds=-20V,Id=-3A |
|
MOS |
SOT23 |
JMTL3401A |
Vds=-30V,Id=4.2A |
2. 三极管
|
类别 |
封装 |
料号 |
参数 |
|
Transistor |
SOT-23 |
S8550 |
hHE>120@IC=-50mA,VEBO=-5V，VCEO=-25V，VCBO=-40V
|
3. ZENER
根据不同的电压选择不同的稳压管
|
类别 |
封装 |
料号 |
参数 |
|
Zener |
SOD-523 |
BZX584C5V1 |
VZ=5.1V，IR＜2μA@VR=2V，PD=200mW |
|
Zener |
SOD-523 |
BZX584C4V7 |
VZ=4.7V，IR＜3μA@VR=2V，PD=200mW |
|
Zener |
SOD-523 |
BZX584C3V3 |
VZ=3.3V，IR＜5μA@VR=1V，PD=200mW |
4.TVS
对电源端口有雷击浪涌要求的可选以下型号：
|
类别 |
封装 |
料号 |
参数 |
|
TVS |
SOD-323 |
JEU12D3U |
150V |
|
TVS |
DFN1610-2L |
JEU12DP |
150V |
|
TVS |
DFN1610-2L |
JEU24DP |
100V |
|
TVS |
DFN2*2-3L |
JEU12N3 |
400V |
|
TVS |
|
|
|
|
TVS |
DFN2*2-3L |
JEU24N3 |
250V |
|
TVS |
DFN2*2-3L |
JEU24P3 |
400V |
|
TVS |
SOD-123FL |
JEB/JEU12D1FT |
400V |
|
TVS |
SOD-123FL |
JEB/JEU24D1FT |
400V |
5.TVS/ESD
对电源端口无特殊雷击浪涌要求的可选以下型号：
|
类别 |
封装 |
料号 |
参数 |
|
ESD |
SOD-323 |
JEB12D3 |
12A |
|
ESD |
SOD-323 |
JEB24D3 |
8A |
|
ESD |
SOD-523 |
JEU12D5 |
6A |
|
ESD |
SOD-523 |
JEU24D5 |
4A |
|
ESD |
DFN1006-2L |
JEB12DF |
4A |
|
ESD |
DFN1006-2L |
JEB24DF |
4A |
奥迪微半导体技术团队在防雷领域拥有十余年的技术沉淀，能有效解决客户对电子产品防护的难点，累积服务超过10000家客户；公司意在为客户“减低成本、提升质量、增加产品核心竞争力”而努力。与广大客户一起成长，铸造“中国梦、中国芯”
